环旭电子 SiC 封装技术突破，ABF 基板预埋芯片 原型下，不要抄袭，字数控制在800字

　　环旭电子（USI）正式宣布其在新世代功率解决方案领域的先进功率半导体封装技术取得重大突破。该公司成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，并结合单面铜裸露（SSC）模块封装技术，首次在业界标准功率封装体中实现了陶瓷绝缘基板与无线键合工艺的集成。这一原型级技术的发布，为功率半导体封装带来了从材料到架构的创新思路。
　　三层工艺融合，重构功率封装结构
　　传统的功率封装方案中，芯片通常安装在基板表面，键合线从芯片表面引出，路径长且寄生参数较大。环旭电子反其道而行，将SiC晶粒直接埋入ABF基板内部，从物理结构上缩短了电流路径。在SSC技术方面，铜端子直接裸露于封装单面，省去了传统封装中复杂的双面焊接与绝缘隔离结构，同时提升了电流承载能力和热传导效率。
　　最具突破性的一环在于陶瓷绝缘基板与无线键合工艺的引入。环旭电子在标准功率封装体内整合了陶瓷绝缘基板，使封装体自带电气绝缘能力，无需额外依赖外部绝缘材料。同时，用无线键合取代传统线键合，在更薄的封装内容纳更大尺寸的芯片，进一步拉升了功率密度。环旭电子新产品导入中心资深处长陈治宇表示，随着功率平台向高效率、高功率密度方向发展，先进封装技术在提升系统效能方面的重要性日益凸显。
　　性能协同，导通损耗与散热实现双优
　　三重工艺的协同效应在关键技术指标上得到了充分体现。预埋结构缩短了电流路径，SSC减少接触电阻，整体导通阻抗显著低于传统方案，直接降低了导通损耗；芯片预埋与无线键合共同作用，将寄生电感压至极低水平，这对高频开关场景下的电压尖峰抑制尤为关键；无线键合架构改善了热耗散路径，陶瓷基板提供稳定绝缘，二者结合减少了热能累积，强化了模块在高温高负荷工况下的长期运行可靠性。封装体即在低杂散电感、低导通阻抗和高效散热三方面形成了协同优势，能源转换效率与产品可靠性同步提升。
　　面向高增长市场，推动宽禁带器件封装升级
　　环旭电子的这项封装技术主要面向AI数据中心、电动汽车和人形机器人等高功率密度应用场景。在汽车动力系统领域，环旭电子同步提供从设计到量产的一站式服务，覆盖高密度400V/800V逆变器系统、智能电池断电单元（iBDU），以及整合车载充电机与DCDC转换器的Xin1系统方案。随着SiC功率器件在电动汽车、AI数据中心和工业电源等场景中的渗透率持续提升，封装环节的技术壁垒正成为影响系统性能和成本的关键因素之一。
　　从产业定位来看，环旭电子正在从传统EMS制造向更高价值的功率模块集成和先进封装服务延伸。目前，这项集成了SiC芯片预埋、陶瓷绝缘与无线键合的封装原型，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡PCIM Europe 2026展会亮相展示。