功率回路大而松散，MOS管发热EMI双超标

问题

1. 输入电容远离 MOS 管：高频环路过大

    

   输入去耦电容（VIN）离 D/S 极远，高频电流路径长，环路面积大，寄生电感高，开关尖峰大、发热严重，EMI 超标。
2. 功率走线细长、多过孔：阻抗大发热高

    

   D 极→负载、S 极→PGND 走线细（＜0.5mm）、长、多过孔，阻抗大，大电流流经时发热严重，压降大、效率低。
3. 开关节点铺铜过大：天线效应辐射强

    

   MOS 管与电感连接点（Switch Node）大面积铺铜，形成 “天线”，高频辐射强，EMI 高频段超标，干扰周边电路。
4. 散热布局差：热量集中，温升超标

    

   MOS 管与电感、继电器等发热器件扎堆，热量叠加；远离板边，散热差，温升超 80℃，加速老化、寿命缩短。

解决方案

1. 输入电容紧邻 MOS 管，零长度
   • VIN 去耦电容（X7R 0603）直接焊在 D/S 极旁，间距≤2mm，高频环路面积≤8mm²。
   • 多电容并联（0.1μF+1μF），降低 ESL，滤除高低频噪声。
2. 功率走线短粗直，无过孔
   • D/S 极走线宽≥1mm（1oz 铜厚），长度≤1cm，无分支、无 90° 拐角。
   • 走顶层 / 底层，全程无过孔，直接铺铜连接，降低阻抗。
3. 开关节点紧凑铺铜，小面积
   • Switch Node（MOS - 电感）铺铜面积最小化，仅连接引脚，不扩展，减少天线效应。
   • 远离敏感信号线（≥3mm），避免耦合干扰。
4. 发热器件分散，靠近板边
   • MOS 管、电感、继电器分散布局，间距≥10mm，避免热量叠加。
   • 放板边，空气流通好，利于散热；必要时加散热焊盘、过孔阵列。

• 输入电容不能 “就近放角落”：远离 MOS 管会导致高频环路过大，发热与 EMI 双超标。
• 功率走线不能 “省铜省空间”：细走线阻抗大，发热严重，长期高温会烧毁 PCB 铜箔。
• 开关节点不能 “大面积铺铜”：会形成强辐射天线，EMI 整改成本高。