华为DoB封装技术突破：将NAND裸片直接堆叠在PCB上，绕开3D NAND层数竞赛

　　面对3D NAND芯片供应受限的困境，华为选择了一条完全不同的突围路径——不是被动等待更高堆叠层数的芯片，而是在封装领域完成底层技术重构。

　　在2026年5月20日至21日于巴黎举行的ID Forum 2026活动上，华为正式展示了自研Die-on-Board（板上裸片封装，简称DoB）技术，并推出了基于该技术的大容量企业级SSD系列，目前已实现61.44TB和122.88TB两款产品的量产，245TB版本正在规划中。

　　技术封锁催生的"非对称创新"

　　这项技术的诞生，首先是外部环境倒逼的结果。由于被列入美国实体清单，华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片，只能使用长江存储等本土厂商的NAND闪存。与此同时，三星等国际原厂已推出400层以上的3D NAND产品，若沿用传统封装方案，华为的SSD在容量上将明显落后。正是在这一困局下，DoB技术应运而生。

　　主流存储厂商通常采用"先封装后焊接"的传统模式——先将NAND闪存裸片放入TSOP（薄型小尺寸封装）或BGA（球栅阵列封装）的标准封装体内进行多芯片堆叠，制成独立成品芯片后再焊接到PCB主板上。这种工艺受限于封装体的固定物理尺寸，最多只能实现16层裸片堆叠。DoB技术的核心突破在于：彻底跳过了NAND芯片的独立封装环节，直接将未经封装的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上，裸片堆叠层数可提升至最高36层，突破传统工艺的物理极限，在不依赖更高堆叠层数3D NAND芯片的前提下，将单位空间内的容量密度提升了约33%。

　　这项被EET-China评价为"被逼出来的技术突破"的创新，从侧面证明了华为正在构建一套独立于国际主流技术路线的国产存储解决方案。

　　从16层到36层：突破物理极限的工程挑战

　　DoB技术最直观的价值体现在堆叠层数的跨越式提升。传统TSOP或BGA封装受限于封装体的固定物理尺寸，最多只能支持16层裸片堆叠；而DoB技术将最高可实现36层裸片堆叠，是传统方案的两倍以上。

　　这远不止是一个堆叠层数的数字游戏。未经封装的裸片紧贴PCB布放，芯片间物理距离缩短，热量积聚和信号串扰问题随之凸显——这恰恰是业内多年未曾攻克的工程难题。华为研发团队经过专项技术攻关，最终在散热管理和信号完整性两大核心挑战上取得了突破，实现了该技术的规模化商用。

　　从数据层面来看，DoB方案的意义更为立体：它不仅由于省去了昂贵的封装步骤而更具成本效益，更因为更高的集成密度，大幅提升了数据中心的空间利用效率。例如，采用36块122.88TB PCIe Gen5 NVMe SSD的OceanStor Pacific 9926存储系统，在2U空间内即可提供4.42PB原始容量，在2.5:1压缩比下有效容量可达11PB。OceanDisk 1800智能盘柜在2U空间内提供1.47PB容量，而OceanDisk 1610在2U空间内容纳36块61.44TB SSD，总容量达2.2PB。

　　从被动追赶走向定义规则

　　DoB技术的革命性不仅在于物理空间的极致利用，更在于其与AI存储的深度绑定。在搭载该技术的AI SSD中，华为创新性地将AI加速单元直接集成到主控芯片中，实现了"存储即计算"的架构变革，随机写入IOPS高达150万，延迟低于7微秒，数据传输能耗降低80%。

　　更重要的是，这项技术为国产NAND产业链开辟了新的价值通道。通过DoB技术的加持，国产NAND芯片得以在系统层面实现高容量输出，形成了"芯片-封装-整机"的正向循环，有效增强了供应链的自主可控能力。这标志着在硬科技创新领域，中国科技企业正从"被动追赶"转向"主动定义规则"。

　　尽管对比戴尔基于铠侠245.88TB SSD的方案（2U机箱约9.8PB原始容量），华为在单盘容量上仍有差距，但已大幅缩小与国际厂商的距离。而245TB版本的规划，意味着这一差距还将进一步收窄。

　　在3D NAND的赛道之外，华为用一项自研封装技术，把PCB从一个被动的承载基板变成了存储创新的主战场——这既是技术封锁下的破局突围，也是中国存储产业走向独立技术体系的标志性事件。