华为 DoB 封装突破：NAND 裸片直接堆叠 PCB

　　在高端3D NAND芯片受限、传统存储封装触及物理瓶颈的行业背景下，华为自研DoB（Die-on-Board）板上裸片封装技术实现关键落地突破。该技术摒弃行业通用的芯片二次封装流程，直接将NAND裸片堆叠贴合至PCB基板，打破传统封装层数限制，最高可实现36层高密度堆叠，彻底改写高端存储PCB的设计与制造标准，为AI服务器、高端数据中心存储提供全新技术路径。
　　长期以来，存储行业沿用传统TSOP、BGA封装模式，NAND裸片必须先完成独立封装、加装外壳与基板，再焊接至PCB主板。这种工艺成熟稳定，但存在明显技术短板，受封装结构、引脚布局与空间限制，常规堆叠层数上限仅16层，容量密度、空间利用率难以突破，且依赖高端多层3D NAND芯片，行业技术迭代陷入固化瓶颈，同时外部技术管制进一步制约高端存储产品迭代升级。
　　华为DoB技术的核心创新，是砍掉全部中间封装环节，以裸片直贴、多层堆叠的一体化工艺，将未封装的NAND晶圆裸片直接键合、堆叠在PCB基材之上。这一颠覆性改造，彻底解除传统封装的层数枷锁，将堆叠上限从16层提升至36层，单位空间存储容量密度提升33%以上，无需依赖超高阶进口3D NAND芯片，即可实现百TB级超大容量存储模组量产，走出一条差异化的国产存储升级路线。
　　除容量突破外，DoB技术对PCB产业的价值尤为突出。省去传统芯片封装的基板、焊球、外壳结构后，存储模组整体厚度大幅缩减，布线路径更短、信号损耗更低，有效解决高端高速存储的信号延迟、传输损耗问题，适配AI服务器高频、高速、海量的数据读写需求。同时简化的堆叠结构大幅降低模组冗余耗材，整体生产成本下降30%左右，能耗同步优化，实现性能、成本、能效三重升级。
　　该项技术突破也对高端PCB制造提出全新要求。DoB裸片直堆工艺对PCB板面平整度、基材稳定性、微孔精度、耐高温性能要求大幅提升，需要适配高精度裸片贴合、多层堆叠散热、高密度线路布局，倒逼PCB厂商升级高阶制程，推动高频高速、高稳定性高端PCB产能迭代，加速低端传统存储PCB产能出清。
　　业内人士表示，华为DoB技术属于典型的非对称技术创新，既破解了高端存储芯片受限的行业困境，又重构了存储封装与PCB配套的产业生态。随着该技术逐步规模化量产，将广泛应用于AI服务器、云计算数据中心、高端企业级存储领域，持续带动高端定制化PCB需求增长，成为下半年PCB与存储产业链的核心增量赛道。