车载充电模块是新能源汽车的 “能量入口”，但其工作时的发热问题一直是行业痛点 —— 尤其是快充模式下，IGBT 功率器件、整流桥、电感的功耗可达到 50W 以上，热量集中在充电 PCB 上，若散热不及时，局部温度会突破 150℃，不仅会导致器件性能降额（如 IGBT 导通压降增大），还会加速绝缘层老化，缩短充电模块寿命，严重时甚至引发热失控。据行业统计，约 25% 的车载充电故障与 PCB 散热不足直接相关。因此，车载充电 PCB 的高温散热优化，已成为保障充电模块可靠性的关键技术方向。

散热优化的核心是 “构建高效热传导路径”，材料选择是基础。传统 FR-4 基材的导热系数仅为 0.3-0.5W/m・K，热量难以快速传导，需选用高导热基材：铝基板（导热系数 2.0-5.0W/m・K）适用于中低功率充电模块（30W 以下），可将热量从器件传导至铝基板背面的散热片；铜基板（导热系数 300-400W/m・K）则适配高功率快充模块（50W 以上），其导热效率是 FR-4 的 600 倍以上，能快速将 IGBT 的热量导出。某车企的 4C 快充模块（功耗 60W），初期采用 FR-4 PCB，IGBT 底部温度达 158℃；更换为铜基板后，温度降至 102℃，完全满足 IGBT 的 125℃最高结温要求。

除基材外，“埋置元件工艺” 可减少发热源与 PCB 的热阻。传统充电 PCB 的电阻、电容采用表面贴装（SMD），器件与 PCB 之间存在空气间隙（热阻约 5℃/W），热量传导效率低；埋置元件工艺将电阻、电容直接嵌入 PCB 内层，与铜箔紧密接触，热阻可降至 1℃/W 以下，大幅提升散热效率。例如，某充电模块的限流电阻（功耗 10W），SMD 封装时电阻表面温度达 140℃；采用埋置工艺后，温度降至 95℃，同时还减少了表层器件布局空间，缩小 PCB 体积 20%。

散热过孔与铜箔布局是强化热传导的关键结构设计。在功率器件（如 IGBT、整流桥）下方，需设计 “散热过孔阵列”—— 过孔孔径 0.2-0.3mm，间距 0.4-0.6mm，过孔内壁电镀厚铜（20-30μm），将器件热量从表层传导至内层或背面的散热铜箔；同时，在 PCB 背面布置 “大面积散热铜箔”（占比≥70%），铜箔厚度 2oz 以上，形成 “热扩散层”，将集中热量分散到整个铜箔表面。某 Tier1 供应商的车载充电 PCB，通过 “100 个散热过孔 + 背面 4oz 散热铜箔” 设计，将整流桥的温度从 135℃降至 88℃，散热效率提升 35%。

针对极端高温场景，还可采用 “热电分离结构”。在 800V 高压快充模块中，部分器件（如 SiC MOS 管）的局部温度可达 180℃，普通散热方案难以应对，需在 PCB 中设计 “热电分离层”—— 将导电层与导热层分开，导电层负责电流传输，导热层（如铜合金）专门负责热量导出，两者通过绝缘材料隔离，既保证电气安全，又实现高效散热。某高端车型的 800V 快充 PCB，采用热电分离结构后，SiC MOS 管的温度从 182℃降至 115℃，满足长期工作要求。

车载充电 PCB 的高温散热优化，需材料、工艺、结构的深度协同。捷配针对这一需求，提供 FR-4、铝基板、铜基板等多类基材选择（铜基板导热系数可达 400W/m・K），支持埋置元件工艺（电阻、电容埋置深度 0.2-0.5mm），可制作高密度散热过孔阵列（最小孔径 0.2mm，间距 0.4mm），同时具备热电分离结构设计能力，所有产品符合 IATF16949 车规认证，通过 150℃高温老化测试，批量良率稳定在 99.7% 以上，适配中低功率充电、4C/5C 快充、800V 高压平台等各类车载充电场景。