8 层 PCB 的电源完整性（PI）直接决定芯片能否稳定工作，其核心是构建低阻抗、低噪声的供电网络（PDN）。随着芯片功耗提升（如 FPGA 功耗达 100W+），8 层 PCB 需通过电源层规划、去耦电容布局、压降控制实现 PI 达标，避免因电源噪声导致的功能紊乱或死机。

一、8 层 PCB 供电网络（PDN）的阻抗设计

① 低频段（10kHz-1MHz）：阻抗由电源平面电感主导，需通过增大电源平面面积（覆盖≥80% PCB 区域）、减少平面分割降低电感（电感值＜10nH）；② 中频段（1MHz-100MHz）：阻抗由电源 - 接地层的平面电容主导，需减小层间距（如 0.1mm）增加电容（100mm×100mm 平面电容约 3.7nF）；③ 高频段（100MHz-1GHz）：阻抗由去耦电容与寄生参数主导，需选择高频特性好的电容（如 X7R 材质，谐振频率＞1GHz）。

以 8 层通用型叠层（VCC1 在第 4 层、GND1 在第 5 层，VCC2 在第 2 层、GND2 在第 3 层）为例：① VCC1 与 GND1 间距 0.1mm（平面电容约 3.7nF），100MHz 时阻抗约 43mΩ；② VCC2 与 GND2 间距 0.12mm（平面电容约 3.1nF），100MHz 时阻抗约 52mΩ；③ 若目标阻抗为 50mΩ（3.3V/3A 芯片），需在 VCC2 区域增加 10 个 0.1μF 去耦电容（谐振频率 100MHz），将阻抗降至 45mΩ。

二、8 层 PCB 电源层的规划与分割

8 层 PCB 通常含 2-3 组电源（如 3.3V、1.8V、5V），电源层规划需平衡供电能力与隔离效果：

① 大电流电源（如 5V/5A）需占用完整电源层（如第 4 层），铜厚≥70μm（载流能力≥5A）；② 小电流电源（如 1.8V/1A）可与其他电源共享一层（如第 2 层分割为 VCC2 与 VCC3），分割线宽度≥2mm（避免边缘效应）；③ 电源层需与对应接地层完全重叠（重叠率≥95%），减少寄生电感（重叠率每降低 10%，电感增加 5nH）。

① 分割线需避开高速信号布线区域（否则信号跨分割，参考平面不连续）；② 不同电压电源的分割间距≥0.5mm（如 3.3V 与 1.8V 间距≥0.5mm），防止高压击穿；③ 模拟电源（如 ADC 3.3V）与数字电源（如 MCU 3.3V）需物理分割，中间留 0.5mm 间隙，接地层对应分割（模拟地与数字地单点连接），模拟电源噪声从 100mV 降至 20mV。

工业控制 8 层板含 3 组电源（12V/VCC1、5V/VCC2、3.3V/VCC3）：① VCC1（12V/5A）占第 4 层完整平面（铜厚 70μm），对应 GND1 在第 5 层；② VCC2（5V/3A）占第 2 层左半区域（面积 50mm×100mm），VCC3（3.3V/2A）占第 2 层右半区域，分割线宽度 2mm，对应 GND2 在第 3 层（同步分割）；③ 12V 电源线路宽≥2mm（70μm 铜厚载流 3A），5V 线宽≥1mm，3.3V 线宽≥0.8mm。

三、去耦电容的选型与布局优化

去耦电容是抑制电源噪声的关键，8 层 PCB 需按频段搭配电容并优化布局：

采用 “大容量 + 中容量 + 小容量” 三级搭配：① 低频去耦（10kHz-1MHz）：10-100μF 钽电容（如 10μF/16V），抑制大电流波动；② 中频去耦（1MHz-100MHz）：0.1μF 陶瓷电容（X7R 材质，耐压≥2×VCC），补偿平面电容不足；③ 高频去耦（100MHz-1GHz）：0.01μF 陶瓷电容（C0G 材质，谐振频率＞2GHz），抑制高频噪声。

① 靠近芯片电源引脚（距离≤5mm），焊盘直接连接电源层与接地层（过孔间距≤2mm），减少寄生电感（从 10nH 降至 2nH）；② 同一芯片的多组电容按 “小容量近、大容量远” 布置（0.01μF 距引脚 3mm 内，10μF 距引脚 5-10mm）；③ 电容过孔需与芯片电源引脚过孔紧邻（间距≤3mm），形成最短电流路径。

FPGA 芯片（功耗 20W，3.3V/6A、1.8V/4A）的去耦设计：① 3.3V 引脚旁：8 个 0.1μF（X7R）、4 个 0.01μF（C0G）、2 个 10μF（钽电容），0.01μF 距引脚 2mm 内；② 1.8V 引脚旁：6 个 0.1μF、3 个 0.01μF、1 个 10μF；③ 电容过孔直径 0.2mm，电源层过孔反焊盘 0.5mm，接地层过孔反焊盘 0.6mm，寄生电感≤3nH。

四、电源压降（IR Drop）与温升控制

8 层 PCB 需控制电源压降（≤5% VCC）与温升（≤30℃），避免芯片供电不足或过热：

压降公式：IRDrop=I×R，其中 R 为电源线路电阻（R=ρ×w×tL，ρ=1.75A~—10−8I^c◯A^⋅m）。

实例：3.3V/3A 电源线路，L=100mm、w=1mm、t=35μm，电阻 R≈0.05Ω，压降 = 3A×0.05Ω=0.15V（4.5%，达标）；若 w=0.5mm，R≈0.1Ω，压降 = 0.3V（9%，超标），需加宽线宽至 1mm 或加厚铜至 70μm（R≈0.025Ω，压降 = 0.075V）。

① 铜厚优化：大电流线路铜厚≥70μm（3A 电流温升从 25℃降至 15℃）；② 散热路径设计：电源层靠近表层（如第 2 层），表层铺散热铜皮（与电源层通过过孔连接，过孔间距≤5mm）；③ 器件布局：功率器件（如 DC-DC 转换器）靠近电源层，减少线路长度（温升降低 10℃）；④ 材料选择：采用高导热介质（如铝基覆铜板，导热系数 2W/m・K），比 FR-4（0.3W/m・K）散热效率提升 5 倍。

① 阻抗测试：用矢量网络分析仪（VNA）测量 PDN 阻抗（10kHz-1GHz），需＜目标阻抗；② 压降测试：用直流电源分析仪注入额定电流，测量芯片引脚电压（压降≤5% VCC）；③ 温升测试：在额定负载下用红外热像仪检测电源层热点（温度≤85℃）；④ 噪声测试：用示波器（带宽≥1GHz）测量电源纹波（峰峰值≤5% VCC）。