铜离子浓度×硫酸含量,PCB孔壁粗糙度的交互
来源:捷配
时间: 2026/01/26 10:13:50
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作为 PCB 工程师,我们都知道孔壁粗糙度是影响孔铜附着力和电气性能的关键指标 —— 粗糙度太小,铜层和孔壁的结合力不足,容易出现剥离;粗糙度太大,铜层容易产生应力集中,甚至出现裂纹。而影响孔壁粗糙度的因素有很多,其中电镀液中铜离子浓度和硫酸含量的交互作用,是最容易被忽略但又至关重要的一个。今天就分享一个我们实验室做过的交互实验,带大家搞懂这两个参数如何联手影响孔壁粗糙度。

首先,我们要明确实验的核心目的:探究铜离子浓度(Cu²?)和硫酸含量(H?SO?)在不同配比下,对 PCB 孔壁铜层粗糙度的影响规律,找到最优的配比区间。
在实验开始前,我们需要确定实验的变量和常量。
变量:
变量:
- 铜离子浓度:设置 3 个水平,分别为 60g/L、80g/L、100g/L;
- 硫酸含量:设置 3 个水平,分别为 180g/L、200g/L、220g/L。
这样就形成了 3×3=9 组不同的电镀液配比方案。
常量:
- 氯离子浓度:固定为 50ppm(氯离子能改善铜层的光泽度和附着力,避免引入额外变量);
- 电镀添加剂:添加相同类型和浓度的整平剂、光亮剂;
- 电镀工艺参数:电流密度 2A/dm²、电镀温度 25℃、电镀时间 30 分钟;
- PCB 基板:选用相同型号的 FR-4 板材,钻孔孔径 0.4mm,厚径比 5:1。
实验的检测指标很明确:用粗糙度仪测量孔壁铜层的 Ra 值(轮廓算术平均偏差),Ra 值越小,说明孔壁越平整;同时观察铜层的微观形貌,用扫描电镜(SEM)拍摄晶粒结构。
接下来就是 9 组实验的具体操作和结果分析。我们把实验数据整理成了下表:
| 铜离子浓度(g/L) | 硫酸含量(g/L) | 孔壁铜层 Ra 值(μm) | 铜层微观形貌观察 |
|---|---|---|---|
| 60 | 180 | 1.25 | 晶粒粗大,表面有明显凸起 |
| 60 | 200 | 0.82 | 晶粒较细,表面相对平整 |
| 60 | 220 | 0.68 | 晶粒细小,表面平整但有轻微针孔 |
| 80 | 180 | 0.95 | 晶粒均匀,表面无明显缺陷 |
| 80 | 200 | 0.55 | 晶粒细密,表面光滑平整 |
| 80 | 220 | 0.62 | 晶粒细密,表面有少量凹坑 |
| 100 | 180 | 1.10 | 晶粒粗大,表面凸起较多 |
| 100 | 200 | 0.78 | 晶粒较细,表面相对平整 |
| 100 | 220 | 0.70 | 晶粒较细,表面有轻微粗糙 |
从这组数据中,我们可以总结出铜离子浓度和硫酸含量对孔壁粗糙度的三大交互规律。
规律一:在相同铜离子浓度下,硫酸含量升高,孔壁 Ra 值先降低后升高
以铜离子浓度 80g/L 为例,硫酸含量从 180g/L 升高到 200g/L 时,Ra 值从 0.95μm 降到了 0.55μm;但当硫酸含量继续升高到 220g/L 时,Ra 值又升到了 0.62μm。这是因为硫酸在电镀液中起到两个作用:一是作为导电介质,提升溶液的导电性;二是作为络合剂,与铜离子形成络合物,调节铜离子的沉积速度。当硫酸含量过低时,溶液导电性差,电流分布不均,铜层沉积速度不一致,导致表面粗糙;当硫酸含量过高时,络合作用过强,铜离子沉积速度变慢,容易形成凹坑缺陷,反而让粗糙度略有上升。
以铜离子浓度 80g/L 为例,硫酸含量从 180g/L 升高到 200g/L 时,Ra 值从 0.95μm 降到了 0.55μm;但当硫酸含量继续升高到 220g/L 时,Ra 值又升到了 0.62μm。这是因为硫酸在电镀液中起到两个作用:一是作为导电介质,提升溶液的导电性;二是作为络合剂,与铜离子形成络合物,调节铜离子的沉积速度。当硫酸含量过低时,溶液导电性差,电流分布不均,铜层沉积速度不一致,导致表面粗糙;当硫酸含量过高时,络合作用过强,铜离子沉积速度变慢,容易形成凹坑缺陷,反而让粗糙度略有上升。
规律二:在相同硫酸含量下,铜离子浓度升高,孔壁 Ra 值先降低后升高
以硫酸含量 200g/L 为例,铜离子浓度从 60g/L 升高到 80g/L 时,Ra 值从 0.82μm 降到 0.55μm;当铜离子浓度升高到 100g/L 时,Ra 值又升到 0.78μm。这是因为铜离子浓度过低时,铜离子供应不足,沉积速度慢,晶粒容易长大,导致表面粗糙;铜离子浓度适中时,沉积速度均匀,晶粒细密;铜离子浓度过高时,沉积速度过快,晶粒来不及有序排列,会形成凸起,导致粗糙度上升。
以硫酸含量 200g/L 为例,铜离子浓度从 60g/L 升高到 80g/L 时,Ra 值从 0.82μm 降到 0.55μm;当铜离子浓度升高到 100g/L 时,Ra 值又升到 0.78μm。这是因为铜离子浓度过低时,铜离子供应不足,沉积速度慢,晶粒容易长大,导致表面粗糙;铜离子浓度适中时,沉积速度均匀,晶粒细密;铜离子浓度过高时,沉积速度过快,晶粒来不及有序排列,会形成凸起,导致粗糙度上升。
规律三:铜离子浓度 80g/L + 硫酸含量 200g/L,是本次实验的最优配比
这组配比下,孔壁铜层的 Ra 值最低,只有 0.55μm,而且微观形貌显示晶粒细密、表面光滑无缺陷。这个配比的本质是铜离子沉积速度和硫酸络合作用达到了最佳平衡—— 既保证了铜离子的充足供应,又通过硫酸的调节作用,让铜原子有序沉积,最终形成平整光滑的铜层。
这组配比下,孔壁铜层的 Ra 值最低,只有 0.55μm,而且微观形貌显示晶粒细密、表面光滑无缺陷。这个配比的本质是铜离子沉积速度和硫酸络合作用达到了最佳平衡—— 既保证了铜离子的充足供应,又通过硫酸的调节作用,让铜原子有序沉积,最终形成平整光滑的铜层。
除了粗糙度,我们还发现一个有趣的现象:当铜离子浓度过高(100g/L)且硫酸含量过低(180g/L)时,孔壁铜层不仅粗糙,还容易出现 “瘤状凸起”;而当铜离子浓度过低(60g/L)且硫酸含量过高(220g/L)时,铜层容易出现针孔缺陷。这说明铜离子和硫酸的配比失衡,不仅影响粗糙度,还会引发其他质量问题。

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