新能源汽车、工业控制等领域对 PCB 的电流承载能力要求日益提升,厚铜 PCB(2oz 及以上铜厚)需求激增。厚铜蚀刻面临两大核心难题:一是蚀刻均匀性差(表面与底部蚀刻速率差异达 30%),易出现 “底部残留”;二是侧蚀严重(2oz 铜厚侧蚀量可达 0.02mm),导致线宽精度失控。行业数据显示,未优化的厚铜蚀刻良率仅 85%,某新能源汽车 PCB 厂商曾因厚铜蚀刻不均匀,导致功率模块发热故障返修率达 12%。捷配深耕厚铜蚀刻工艺 5 年,通过 “分段蚀刻 + 精准控温” 技术,实现 2oz 铜厚蚀刻均匀性 ±5%,线宽公差 ±0.015mm,良率 99.2%。本文结合 IPC-2221/2223 标准与实战案例,拆解厚铜蚀刻的技术难点与量产解决方案。
厚铜 PCB(铜厚≥70μm,2oz 铜厚约 70μm,3oz 约 105μm)的蚀刻原理与常规铜厚一致,但因铜层厚度增加,蚀刻液渗透难度提升,形成 “表面蚀刻快、底部蚀刻慢” 的梯度差异,导致三大问题:
- 底部残留:蚀刻液无法完全渗透至铜层底部,残留未蚀刻铜箔,引发短路;
- 侧蚀
- 蚀刻速率慢:2oz 铜厚传统蚀刻时间需 180-200 秒,是常规铜厚(1oz)的 2 倍以上,导致生产效率低下,且长时间蚀刻易加剧侧蚀。
针对厚铜蚀刻痛点,捷配构建 “三维管控体系”:
- 分段蚀刻技术:将蚀刻过程分为 “预蚀刻 - 主蚀刻 - 精蚀刻” 三段,预蚀刻采用低浓度蚀刻液(Cu²+ 150-180g/L)快速去除表层 50% 铜厚,主蚀刻用标准浓度(200-220g/L)保证速率,精蚀刻用低速率(15-20μm/min)修正均匀性,总蚀刻时间缩短至 150 秒以内;
- 喷嘴结构优化:采用锥形喷嘴(孔径 0.8mm),上下喷嘴错位排布,喷淋压力梯度设置(表层 0.35MPa,中层 0.3MPa,底层 0.25MPa),确保蚀刻液渗透至铜层底部,均匀性提升至 ±5%;
- 温度梯度控制:蚀刻液采用 “上高下低” 温度分布(表层 50℃,底层 45℃),利用热对流促进蚀刻液循环,减少上下层蚀刻速率差异,侧蚀量控制在 0.008mm 以内。
- 操作要点:针对厚铜层易氧化、油污残留多的问题,强化微蚀与清洁流程。
- 数据标准:采用双段微蚀工艺,第一段 NaPS 微蚀液(浓度 100-120g/L),微蚀量 1.0-1.5μm;第二段硫酸 - 双氧水微蚀液(H?SO? 10%+H?O? 5%),微蚀量 0.5-1.0μm;基板表面粗糙度 Ra=0.8-1.0μm,油污去除率 100%,符合 IPC-2223 第 6.2.1 条款。
- 工具 / 材料:捷配定制双段微蚀线、生益 S2116 厚铜基板(2oz 铜厚)、环保微蚀液。
- 操作要点:按预蚀刻、主蚀刻、精蚀刻分段调控参数,平衡速率与均匀性。
- 数据标准:
- 预蚀刻:蚀刻液 Cu²+ 160g/L、HCl 14g/L,温度 50℃,喷淋压力 0.35MPa,时间 40 秒,去除铜厚 35μm;
- 主蚀刻:Cu²+ 210g/L、HCl 18g/L,温度 48℃,喷淋压力 0.3MPa,时间 80 秒,去除铜厚 25μm;
- 精蚀刻:Cu²+ 190g/L、HCl 16g/L,温度 45℃,喷淋压力 0.25MPa,时间 30 秒,修正均匀性,总蚀刻时间 150 秒;
- 蚀刻效果:蚀刻均匀性 ±5%,侧蚀量≤0.008mm,线宽公差 ±0.015mm,符合 IPC-2221 第 6.3.2 条款。
- 工具 / 材料:宇宙分段蚀刻线(定制三段式喷淋系统)、在线铜厚监测仪、捷配专用厚铜蚀刻液。
- 操作要点:彻底去除蚀刻残留,避免厚铜层因应力导致翘曲。
- 数据标准:
- 脱膜:NaOH 浓度 5%,温度 55℃,时间 3 分钟,脱膜残留≤0.05%;
- 清洗:超纯水(电导率≤5μS/cm)超声清洗(功率 300W,时间 60 秒),冲洗 3 次,确保蚀刻液残留≤0.1mg/cm²;
- 整平:采用热风整平(温度 260-270℃,时间 5-8 秒),基板平整度≤0.3mm/m,铜层附着力≥1.8N/mm(IPC-TM-650 2.4.8 标准)。
- 工具 / 材料:超声清洗机、热风整平设备、超纯水制备系统。
- 操作要点:覆盖铜厚均匀性、线宽精度、残留检测三大维度。
- 数据标准:
- 铜厚检测:采用 X-Ray 铜厚仪,检测精度 ±1μm,每块板检测≥15 个点位,铜厚均匀性 ±5%;
- 线宽检测:龙门二次元测量仪,精度 ±0.001mm,重点检测线路拐角、焊盘区域,线宽公差 ±0.015mm;
- 残留检测:AOI 检测 + 化学滴定法,蚀刻残留 100% 无检出,符合 IPC-A-610G Class 3 标准。
- 工具 / 材料:X-Ray 铜厚仪、龙门二次元测量仪、宜美智 AOI 检测机。
厚铜 PCB 蚀刻的核心是 “均匀性优先、速率适配、应力控制”,工艺工程师需把握三大关键:一是分段蚀刻参数的梯度匹配,避免单一参数导致的表层过快、底部残留;二是喷嘴与压力的结构优化,确保蚀刻液渗透至厚铜底部;三是全流程检测,重点监控铜厚均匀性与底部残留。