六层板大电流发热严重！叠层铜厚 + 结构优化散热提升40%

1. 铜厚不足（1oz）：载流能力低，大电流发热严重

    

   1oz 铜厚（35μm）载流能力仅 4A/mm²，10A 电流需线宽 2.5mm，线宽过宽占用大量空间，且发热严重，温升超 85℃；某客户 1oz 铜厚六层板，10A 电流区域温度达 115℃，MOS 管频繁烧毁，批量不良率达 20%。
    
2. 电源 - 地层间距过大（＞0.3mm）：散热差，热量堆积

    

   电源层与地层间距＞0.3mm，无法形成有效散热平面，大电流产生的热量堆积在内层，无法快速导出到表层，温度持续升高；同时，间距过大导致电源阻抗高，压降大，效率降低。
    
3. 大电流走线集中表层：散热路径长，局部过热

    

   大电流走线集中在表层，无内层散热平面支撑，热量只能通过表层少量过孔导出，散热路径长，局部温度过高；某客户表层走 10A 电流，局部温度达 120℃，远超元器件耐受温度。
    
4. 无专用散热过孔：热量传导慢，温升超标

    

   大电流区域未设计专用散热过孔（热电过孔），内层热量无法快速传导至表层散热焊盘或外壳，热量堆积，温升超标；同时，过孔数量不足，传导效率低。
    

解决方案

1. 大电流专属叠层：2oz/4oz 厚铜 + 电源 - 地层紧邻（≤0.2mm）

• 结构：Top（1oz 信号）→PP（0.2mm）→GND（2oz）→PP（0.2mm）→PWR（2oz，大电流）→PP（0.2mm）→GND（2oz）→PP（0.2mm）→Bottom（1oz 信号）。
• 铜厚选型：10-20A 选 2oz 铜厚（70μm），载流能力 8A/mm²，10A 电流仅需线宽 1.25mm；＞20A 选 4oz 铜厚（140μm），载流能力 16A/mm²，线宽可进一步缩小。
• 间距控制：电源 - 地层间距严格控制在 0.2mm，形成大面积散热平面，散热效率提升 40%，温升降低 30%。

2. 大电流走线内层布置：夹在地层之间，双面散热

• 内层（第三层 PWR）布置大电流走线，夹在上下两层 GND 之间，双面散热，热量快速传导至地层，温升降低 40%。
• 线宽优化：2oz 铜厚 10A 电流，线宽 1.25mm 即可，比 1oz 节省 50% 空间，兼顾载流与布线密度。

3. 专用散热过孔设计：热电过孔阵列，快速导热

• 大电流芯片（MOS 管、电感）下方布置热电过孔阵列，1W 功耗对应 4 个过孔，10W 芯片布置 40 个过孔，过孔直径 0.3mm，间距 1mm，热量直接传导至内层地层，温度从 110℃降至 75℃。
• 表层散热：大电流区域表层裸露铜皮（无绿油），配合导热硅胶垫连接外壳，散热效率再提升 20%。

4. 板材与层压优化：TG170 板材 + 真空层压，耐高温 + 无气泡

• 板材：选用生益 / 建滔 TG170 高可靠板材，耐高温（170℃），大电流高温环境下不变形、不分层。
• 层压：采用真空层压工艺，无气泡、对位准，内层铜箔与介质贴合紧密，导热效率高，无局部热点。

提示

1. 大电流（≥10A）别用 1oz 铜厚，载流不足、发热严重，元器件烧毁风险极高。
2. 电源 - 地层间距别超 0.2mm，散热差、热量堆积，温升超标，效率降低。
3. 大电流走线别全走表层，散热路径长、局部过热，批量发热不良率超 20%。