无锡新洁能低损耗高可靠性MOSFET，实现功率密度最大化

作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商，新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。无锡新洁能为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合最先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。无锡新洁能专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。

通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，无锡新洁能为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。

应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，无锡新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。

新洁能MOSFET结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，无锡新洁能推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

无锡新洁能低损耗高可靠性MOSFET特点与优势：

·低FOM（Rdson*Qg）                  

·高雪崩耐量，100%经过EAS测试            

·低反向恢复电荷（Qrr），低反向恢复峰值电流（Irm）

·抗静电能力（ESD）                  

·抗静电能力（ESD）                      

·符合RoHS标准

无锡新洁能低损耗高可靠性MOSFET应用：

·各类锂电池保护模块          

·手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理        

·LED TV等消费类电子产品电源

·电动交通工具控制器          

·不间断电源，逆变器和各类电力电源                

·LED照明