【产品】超低Rdson N沟道场效应管NCE6008AS,有效降低整体开关损耗
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时间: 2019/11/16 11:11:00
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NCE(无锡新洁能)专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
N沟道MOSFET NCE6008AS使用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。它可以用于多种应用。
N沟道场效应管 NCE6008AS常规功能
●VDS = 60V,ID = 8A
RDS(ON)<20mΩ@ VGS = 10V
RDS(ON)<28mΩ@ VGS = 4.5V
●高密度电池设计,可实现超低的Rdson值
●全面表征雪崩电压和电流
●低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
N沟道场效应管 NCE6008AS应用
●电源开关
●负载开关