【产品】超低Rdson N沟道场效应管NCE6008AS，有效降低整体开关损耗

NCE（无锡新洁能）专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

N沟道MOSFET NCE6008AS使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。它可以用于多种应用。

N沟道场效应管 NCE6008AS常规功能
●VDS = 60V，ID = 8A
RDS（ON）<20mΩ@ VGS = 10V

RDS（ON）<28mΩ@ VGS = 4.5V
●高密度电池设计，可实现超低的Rdson值
●全面表征雪崩电压和电流
●低栅极至漏极电荷以减少开关损耗

N沟道场效应管 NCE6008AS应用
●电源开关
●负载开关