【选型】电动车专用低损耗高可靠性MOSFET,高防静电能力
作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商,新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列低损耗高可靠性MOSFET。无锡新洁能为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,配合最先进的封装技术,为您提供100mA至400A的电流选择范围。无锡新洁能低损耗高可靠性MOSFET为电动车的不二选择!
电动二轮车(小功率) | 电动三轮车(中功率) | 电动汽车(大功率) |
6管/9管/12管 | 12管/15管/18管 | 12管/24管/36管 |
NCE6990/NCE7190/NCE7580 | NCE7190/NCE70H12/NCE70H13 | NCE70H13/NCE75H21 |
NCE8580/NCE8290 | NCE80H11/NCE80H12 | NCE85H21/NCE85H21C |
NCE01H10/NCE01H11 | NCE01H11/NCE01H13/NCE01H14 | NCE01H14/NCE01H14C |
- | NCE1490/NCE1579C | NCE1490/NCE1579C |
电动车专用高可靠性MOSFET参数
▼ 48V控制器专用:
NCE6990 | NCE7190 | NCE7580 | NCE70H12 | NCE70H13 | NCE75H21 | |
VDS | >69V | >71V | >75V | >70V | >70V | >75V |
VTH | 3V | 3V | 2.85V | 2.9V | 2.9V | 3V |
Ron | 6.2mR | 5.9mR | 6.5mR | 4.5mR | 4.0mR | 3.1mR |
▼ 60~64V控制器专用:
NCE8580 | NCE8290 | NCE80H11 | NCE80H12 | NCE85H21 | NCE85H21C | |
VDS | >85V | >82V | >85V | >85V | >85V | >85V |
VTH | 2.85V | 2.9V | 3V | 3V | 3V | 3V |
Ron | 6.8mR | 7.5mR | 5.8mR | 4.9mR | 3.2mR | 3.6mR |
▼ 72V控制器专用:
NCE01H10 | NCE01H11 | NCE01H13 | NCE01H14 | NCE01H14C | |
VDS | >100V | >100V | >100V | >100V | >100V |
VTH | 3V | 3V | 3V | 3.2V | 3.2V |
Ron | 9.9mR | 7.5mR | 5.7mR | 4.6mR | 5mR |
▼ 96V控制器专用:
NCE1490 | NCE1579C | |
VDS | >140V | >150V |
VTH | 3V | 3.1V |
Ron | 10.5mR | 13mR |
注:产品名后面字母C表示电容和Qg优化升级的新一代产品,具有更快的开关速度和更低的开关损耗。
T0-220 Package(NCE8580)
MOSFET温升对比实验(NCE8580)
注:该实验模拟电动车在持续爬坡过程中MOS管NCE8580的温升情况,温度取样点:MOS管散热片
可靠性实验(NCE8580)
- HTRB可靠性试验:环境温度150C下,漏电电压80% Vds,继续通电1000小时,80颗全通过
- HTGB可靠性试验:环境温度150C下,栅极电压80% Vgs,继续通电1000小时,80颗全通过
- 控制器高温试验:64V12管限流值28A电机500W,控制器所处环境温度80C下,正常加载持续老化48小时通过
- 控制器短路试验:A,B,C三相各短路30次全通过
- 控制器堵转试验:100次通过
低损耗高可靠性MOSFET产品特征
- 低导通电阻,低栅极电荷
- 高散热能力;高结温下,大电流持续导通能力
- 高EAS能力(100% UIS测试)
- 电参数高度一致性和重复性(芯片在国际一流8英寸芯片代工厂生产+成品在国内顶尖的封测厂封装)
- 特殊制程,高防静电能力(ESD)