【选型】四款Super Trench 工艺同步整流MOSFET，简化手机快充设计难度

无锡新洁能同步整流MOSFET采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700～900V  SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。

实现快速充电必然需要加大充电功率。大功率意味着充电器体积的增加，作为移动电子设备配件，充电器体积必须做到小型化，方便随身携带，这对电源效率，温升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI，Iwatt为主。均采用同步整流，以提高电源效率，降低温度。

下图是PI QC3.0方案电路原理图。

主芯片采用SC1271K，该芯片内部集成了初级开关管、PWM 控制器、次级同步整流控制器。输出部分的协义芯片为SC0163D完整的支持高通的 QC3.0 Class A 规格，兼容 QC2.0 的Class A 规格。

典型产品如小米5手机充电器MDY-08-EH。可实现充电5分钟能通话2.5小时。输出：5V2.5A，9V2A，12V1.5A，标称最大输出功率 18W；达到了主流快充充电器的输出水准。

无锡新洁能针对此应用推出了四款同步整流MOS NCEP6020AS，NCE0110AS，NCE0114AS，NCEP0160G，并采用最新的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（ShieldGate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）,新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。

N沟道MOSFET NCEP6020AS（60V 20A)

- SOP-8封装

- Vth=1.7V

- Ron10=4.0mR (Typ.)

- Ron4.5=4.4mR(Typ.)

- Qgd=10nC

N沟道MOSFET NCE0110AS

- SOP-8封装

- VDS= 100V,ID =10A

- RDS(ON)< 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ)

- RDS(ON)< 20mΩ @ VGS=4.5V (Typ:15.2mΩ)

N沟道MOSFET NCE0114AS

- SOP-8封装

- VDS =100V,ID =14A

- RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V

- RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

N沟道MOSFET NCEP0160G

- DFN5X6-8L(同SOP-8封装兼容)

- VDS =100V,ID =60A

- RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V

N沟道MOSFET NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充产品上，在较苛刻的测试条件下实测效率高达88.5%。测试条件：输入90V AC，输出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS，Rdson更低，电流更大，热阻低至0.7℃/W,适合一些要求更严格的场合。

同时，新洁能针对OB，Iwtt一些非集成初级MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小体积超结MOS。相对于VDMOS，具有更低的导通电阻，利于降低导通损耗，极低的栅极电荷，提供更快的开关速度，同规格下更小的封装体积，减小产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下最大可提供11A650V。普通VDMOS则较难做到如此小型封装。