氮化硅陶瓷基板PCB

氮化硅陶瓷基板PCB是以氮化硅陶瓷为基底的印制电路板，在高端电子领域应用广泛。

优异的热学性能：氮化硅陶瓷基板的热导率可达90-120W/(mK)，能快速导出器件热量，避免热积累导致的性能衰减。其低热膨胀系数约为2.5-3.0×10负六次方/℃，与硅（Si）及碳化硅（SiC）衬底高度匹配，可减少热失配应力，提升封装可靠性。此外，其抗热震性能突出，即使在1000℃高温下急剧冷却再加热，仍能保持结构完整性。
卓越的机械性能：氮化硅的弹性模量达300-320GPa，接近金刚石，显著高于氧化铝、碳化硅等材料，在机械载荷下变形极小。其抗弯强度为600-800MPa，优于氧化铝，抗冲击和热应力能力突出。
良好的化学稳定性：氮化硅陶瓷化学性质极为稳定，在酸、碱及熔融金属中保持稳定，仅对浓氢氟酸（HF）敏感，适合在恶劣的化学环境中使用。同时，它在1400℃空气中可长期使用，表面形成致密氧化硅层，阻止进一步氧化。

第三代半导体封装：适用于新能源汽车SiC功率模块、光伏逆变器、5G基站射频器件等，其高弹性模量保障封装结构稳定性，低热膨胀系数匹配SiC芯片，高导热率可延长器件寿命。
高端电子器件散热：可作为GPU、FPGA等高集成度芯片的散热基板，在高频振动环境下，如车载电子中，抗疲劳性能好，热循环可靠性优异。
半导体制造设备：可用于晶圆转移吸盘、封装模具等，其耐磨性显著降低表面损伤风险，绝缘性可避免电磁干扰。
航空航天与新能源：在航空发动机温度传感器基座、风电变流器散热系统等场景中，凭借耐极端温度与抗腐蚀能力，适应复杂环境。