基材混压工艺
高频基材(如PTFE)与改性FR-4的热膨胀系数(CTE)差异较大,需采用“分步加压+梯度升温”工艺(升温速率5℃/min,最高温度180-200℃,压力30-40kg/cm),避免层间剥离或开裂,确保层间结合强度≥1.5kgf/cm。
盲埋孔加工与金属化
采用激光钻孔技术(CO激光或UV激光)加工盲埋孔,孔径控制在0.1-0.2mm,孔位精度±0.02mm;孔壁金属化采用“化学沉铜+电镀铜”工艺,铜层厚度≥20μm,确保孔内导电性能稳定,避免因孔阻过大导致信号衰减。
阻抗匹配控制
通过“线路宽度、基材厚度、铜箔厚度”三维参数协同设计(如50Ω阻抗线路,线宽0.25mm、基材厚度0.12mm、铜箔厚度1oz),配合阻抗测试仪(精度±1Ω)在线检测,确保信号层阻抗偏差≤±5%,避免信号反射。
5G通信领域:小型化5G射频模块(如CPE设备、物联网网关)、5G手机中高频天线板,保障3.5GHz/毫米波频段信号传输;
汽车电子领域:车载毫米波雷达(24GHz/77GHz频段,用于盲点监测、自适应巡航),耐受-40℃-125℃车规温度环境;
工业与测试领域:高频信号发生器、射频测试仪的核心板,确保测试信号的精准度与稳定性;
消费电子领域:高端Wi-Fi7路由器(6GHz频段)、VR/AR设备的无线传输模块,实现高速率、低延迟的无线通信。